DMG6402LDM-7

Diodes Incorporated

DMG6402LDM-7

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

В производствеSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds404 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.12W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Корпус производителяSOT-26

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)