DMG5802LFX-7

Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

В производстве6-VFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Базовый Part NumberDMG5802
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1066.4pF @ 15V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A
Power - Max980mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VFDFN Exposed Pad
Корпус производителяW-DFN5020-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)