DMG4800LSDQ-13

Diodes Incorporated

DMG4800LSDQ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 9A, 10V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.56nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds798pF @ 10V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta)
Power - Max1.17W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101