DMG4511SK4-13

Diodes Incorporated

DMG4511SK4-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L

В производствеTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252ADАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 8A, 10V
Базовый Part NumberDMG4511
КонфигурацияN and P-Channel, Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A, 5A
Power - Max1.54W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Корпус производителяTO-252-4L

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)