DMG1029SV-7

Diodes Incorporated

DMG1029SV-7

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7Ohm @ 500mA, 10V
Базовый Part NumberDMG1029
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 25V, 25pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA, 360mA
Power - Max450mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяSOT-563

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)