DMC67D8UFDBQ-7

Diodes Incorporated

DMC67D8UFDBQ-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 60V 0.39A 6UDFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 500mA, 10V, 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
КонфигурацияN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds41pF @ 25V, 443pF @ 16V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C390mA (Ta), 2.9A (Ta)
Power - Max580mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяU-DFN2020-6 (Type B)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101