DMC6070LND-7

Diodes Incorporated

DMC6070LND-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 1.5A, 10V
Базовый Part NumberDMC6070
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds731pF @ 20V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A, 2.4A
Power - Max1.4W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (Type UXB)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)