DMC6070LFDH-7

Diodes Incorporated

DMC6070LFDH-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8VDFN

Устаревший8-VDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 1.5A, 10V
Базовый Part NumberDMC6070
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds731pF @ 20V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A, 2.4A
Power - Max1.4W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-VDFN
Корпус производителяV-DFN3030-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)