Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 200mA, 4.5V |
|---|---|
| Конфигурация | N and P-Channel Complementary |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 65.9pF @ 25V |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A, 700mA |
| Power - Max | 390mW |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | X2-DFN1310-6 (Type B) |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |