DMC3032LFDB-13

Name: DMC3032LFDB-13
Brand: Diodes Incorporated

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V
Базовый Part Number	DMC3032
Конфигурация	N and P-Channel Complementary
FET Feature	Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V, 336pF @ 25V
Производитель	Diodes Incorporated
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA

Напряжение сток-исток	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.3A (Ta), 3.4A (Ta)
Power - Max	800mW

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)