DMC3026LSD-13

Diodes Incorporated

DMC3026LSD-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/8A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V
КонфигурацияN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds641pF @ 15V, 1241pF @ 15V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A (Ta), 8A (Ta)
Power - Max1.6W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101