DMC3025LSDQ-13

Diodes Incorporated

DMC3025LSDQ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds501pF @ 15V, 590pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Power - Max1.2W (Ta)

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101