DMC10H220LSD-13

Diodes Incorporated

DMC10H220LSD-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 100V 1.7A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 1.6A, 10V, 250mOhm @ 1A, 10V
Базовый Part NumberDMC10
КонфигурацияN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3nC @ 10V, 17.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds340pF @ 50V, 1030pF @ 50V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Ta)
Power - Max1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)