DMC1030UFDB-7

Diodes Incorporated

DMC1030UFDB-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
КонфигурацияN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Power - Max1.36W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяU-DFN2020-6 (Type B)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101