DGD2190S8-13

Diodes Incorporated

DGD2190S8-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberDGD2190
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)25ns, 20ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)4.5A, 4.5A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Напряжение питания10V ~ 20V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)