DGD0507AFN-7

Diodes Incorporated

DGD0507AFN-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10

В производстве10-WFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberDGD0507
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаCMOS/TTL
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)16ns, 18ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)1.5A, 2A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)50 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Напряжение питания8V ~ 14V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case10-WFDFN Exposed Pad
Корпус производителяW-DFN3030-10

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TA)