2N7002H-13

Diodes Incorporated

2N7002H-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность370mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)