Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Время доступа | 4 ns |
| Базовый Part Number | CY10E484 |
| Производитель | Cypress Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 4ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Время доступа | 4 ns |
| Базовый Part Number | CY10E484 |
| Производитель | Cypress Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 4ns |
| Объем памяти | 16Kbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.94V ~ 5.46V |
| Memory Organization | 4K x 4 |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 28-CDIP (0.400", 10.16mm) |
| Корпус производителя | 28-CDIP |
| Рабочая температура | 0°C~75°C(TA) |
|---|