Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Время доступа | 7 ns |
| Базовый Part Number | CY10E422 |
| Производитель | Cypress Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Время цикла записи | 7ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Время доступа | 7 ns |
| Базовый Part Number | CY10E422 |
| Производитель | Cypress Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Время цикла записи | 7ns |
| Объем памяти | 1Kbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.94V ~ 5.46V |
| Memory Organization | 256 x 4 |
| Package / Case | 28-LCC (J-Lead) |
|---|---|
| Корпус производителя | 28-PLCC (11.53x11.53) |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|