Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Время доступа | 7 ns |
| Базовый Part Number | CY10E422 |
| Производитель | Cypress Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 7ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Время доступа | 7 ns |
| Базовый Part Number | CY10E422 |
| Производитель | Cypress Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 7ns |
| Объем памяти | 1Kbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.94V ~ 5.46V |
| Memory Organization | 256 x 4 |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 24-CDIP (0.400", 10.16mm) |
| Корпус производителя | 24-SBDIP |
| Рабочая температура | 0°C~70°C(TA) |
|---|