CDBDSC8650-G

Comchip Technology

CDBDSC8650-G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARB 650V 25.5A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberCDBDSC8650
Capacitance @ Vr, F550pF @ 0V, 1MHz
ПроизводительComchip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)25.5A
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C