CDBDSC51200-G

Comchip Technology

CDBDSC51200-G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 18A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberCDBDSC51200
Capacitance @ Vr, F475pF @ 0V, 1MHz
ПроизводительComchip Technology
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io)18A
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 1200 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C