Общие
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | CISSOID |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 10A, 10A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 1200 V |
| Напряжение питания | 12V ~ 18V |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Module |
| Корпус производителя | Module |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TA) |
|---|