Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 5A, 25A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 15A, 4V |
| Power - Max | 125 W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-218-3 |
| Корпус производителя | TO-218 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|