Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 8mA, 2A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 4V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220-3 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|