Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 80mA, 8A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 4V |
| Power - Max | 80 W |
| Frequency - Transition | 4MHz |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220-3 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|