Общие
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | Schottky |
CTLSH1-50M832DS BK
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 50V 1A TLM832DS
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550 mV @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 µA @ 50 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | 8-TDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | TLM832DS |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
|---|