CTLDM303N-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Устаревший8-TDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Базовый Part NumberCTLDM303N
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 10V
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A
Power - Max1.65W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-TDFN Exposed Pad
Корпус производителяTLM832DS

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)