Общие
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | Standard |
CR3-080GPP BK
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Корпус производителя | DO-201AD |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
|---|