Общие
| Capacitance @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6 ns |
| Технология | Standard |
CPD93V-1N4150-WN
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 50V 200MA DIE
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 200 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 nA @ 50 V |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Die |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
|---|