CPD83V-1N4148-CT

Central Semiconductor Corp

CPD83V-1N4148-CT

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GP 100V 200MA DIE 1=400

В производствеDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 10 mA
Current - Average Rectified (Io)200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr25 nA @ 20 V
СкоростьSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Механические

КорпусTray
Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C