CP802-CWDM3011P-CM

Name: CP802-CWDM3011P-CM
Brand: Central Semiconductor Corp

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

В производствеDieАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 1A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 8 V
Производитель	Central Semiconductor Corp
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta)

Рабочая температура	-55°C~150°C(TJ)