MOSFET P-CH 30V 2.4A DIE
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 1.2A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 10 V |
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Die |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|