CP771-CXDM4060P-CT

Central Semiconductor Corp

CP771-CXDM4060P-CT

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 40V 6A DIE

УстаревшийDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 6A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750 pF @ 25 V
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)

Механические

КорпусTray
Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)