Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| Frequency - Transition | 4MHz |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Die |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|