Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.93A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.15W (Ta) |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Die |
Среда
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|