MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 1.8A, 2.5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 10 V |
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Die |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|