Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
| Power - Max | 625 mW |
| Frequency - Transition | 60MHz |
Механические
| Package / Case | Die |
|---|---|
| Корпус производителя | Die |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|