Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 800 mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
Механические
| Корпус | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Die |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|