CMRDM3575 TR PBFREE

Central Semiconductor Corp

CMRDM3575 TR PBFREE

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 0.16A SOT963

В производствеSOT-963Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
Базовый Part NumberCMRDM3575
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.46nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9pF @ 15V
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160mA, 140mA
Power - Max125mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-963
Корпус производителяSOT-963

Среда

Рабочая температура-65°C ~ 150°C (TJ)