CMPDM303NH TR

Central Semiconductor Corp

CMPDM303NH TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F

УстаревшийSOT-23-3 Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 1.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds590 pF @ 10 V
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность350mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-3 Flat Leads
Корпус производителяSOT-23F

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)