CEDM7002AE TR PBFREE

Central Semiconductor Corp

CEDM7002AE TR PBFREE

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT883L

В производствеSC-101, SOT-883Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность100mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-101, SOT-883
Корпус производителяSOT-883L

Среда

Рабочая температура-65°C ~ 150°C (TJ)