MOSFET N-CH 20V 100MA SOT883VL
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.566 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9 pF @ 3 V |
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100mW (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Корпус производителя | SOT-883VL |
| Рабочая температура | -65°C~150°C(TJ) |
|---|