Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
| Power - Max | 5 W |
| Frequency - Transition | 200MHz |
Механические
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-39 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|