Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 250mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 50mA, 1V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 500MHz |
Механические
| Корпус | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-237AA |
| Корпус производителя | TO-237 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|