Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 125mA, 1A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 3.2V |
| Power - Max | 35 W |
| Frequency - Transition | 20MHz |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
| Корпус производителя | TO-66 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|