Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 200MHz |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 2GHz |
| Gain | 15dB |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Корпус производителя | TO-72 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|