Общие
| Resistance - RDS(On) | 60 Ohms |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 10V (VGS) |
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
|---|---|
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 800 mV @ 0.5 nA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 8 mA @ 15 V |
| Power - Max | 360 mW |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Корпус производителя | TO-18 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|