Общие
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 100µA, 1mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
| Power - Max | 360 mW |
| Frequency - Transition | 60MHz |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Корпус производителя | TO-18 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|