Общие
| Capacitance @ Vr, F | 175pF @ 12V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Central Semiconductor Corp |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Технология | Standard |
1N5416 BK TIN/LEAD
Аналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 100V 3A GPR-4AM
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 100 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | R-4, Axial |
| Корпус производителя | GPR-4AM |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 200°C |
|---|